鎳鉑合金，以金屬鎳（Ni）、金屬鉑（Pt）為主要合金元素，成分中還會含有鎂、鋁、碳等雜質元素，具有耐高溫、抗氧化、耐腐蝕等特點。鎳鉑靶材，是以高純鎳鉑合金為材料制造而成的用于濺射鍍膜領域的濺射源。通過調整鎳鉑靶材中的鎳、鉑含量比例，可以獲得低電阻率、高抗氧化性的靶材。
鎳鉑靶材純度在99.99%（4N）及以上，通常采用真空熔煉法進行制備，包括真空感應熔煉法、真空電子熔煉法兩種。鎳鉑靶材制備工藝流程是，以高純鎳、高純鉑為原料，通過真空熔煉工藝制備得到合金鑄錠，再經塑性加工、熱處理、機械加工等工序獲得靶材。純度、致密度、組織均勻性、晶粒尺寸、晶粒取向等均會影響鎳鉑靶材性能，進而影響鍍膜質量。因此鎳鉑靶材制備對生產企業的技術工藝控制要求高。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025-2030年中國鎳鉑靶材行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，鎳鉑靶材可以應用在電子、光學等領域。在電子領域，鎳鉑靶材主要用于半導體、集成電路制造中，例如用來制造二極管、超大規模集成電路、高頻射頻芯片、電源管理芯片、MEMS器件等。在超大規模集成電路中，鎳鉑靶材的純度、尺寸存在一定要求，通常采用99.995%純度、12英寸直徑的鎳鉑靶材，用于集成電路柵極、源極/漏極區接觸層制備方面。
在我國，代表性鎳鉑靶材研制廠商主要是貴研鉑業股份有限公司、有研億金新材料有限公司等。2018年，由貴研鉑業承擔的云南省國際合作計劃專項“半導體器件用鎳鉑靶材的制備關鍵技術及產業化”取得重大突破，建成了年產1000片鎳鉑靶材料的示范生產線。有研億金新材料有限公司開發出65-28nm特征尺寸大規模集成電路用12英寸高純鎳鉑靶材，產品純度4N5，氧含量≤100ppm，晶粒尺寸≤100μm，焊合率≥97%。
我國其他鎳鉑靶材相關布局企業還有：2024年12月，寧波江豐電子材料股份有限公司公開了一項名為“一種再生鎳鉑合金靶材及其制備方法”的專利；2025年5月，先導薄膜材料（江蘇）有限公司公開了一項名為“一種鎳鉑合金靶材及其制備方法”的專利等。
新思界
行業分析人士表示，2014年，我國（YS/T 937-2013）《鎳鉑靶材》行業標準實施，之后不斷完善，2021年啟動制定雜質元素檢測標準，2024年新增碳含量測定標準。目前，我國鎳鉑靶材分析標準包含鉑含量測定、雜質元素檢測、碳含量測定三個部分。
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