飽和結構照明顯微鏡（SSIM），是在結構照明顯微鏡（SIM）的基礎上發展而來，在激發模式中引入亞衍射極限空間特征，將飽和過程概念應用于結構照明顯微技術，從而突破衍射極限獲得超高分辨率圖像，屬于超分辨率顯微鏡的一種。
2000年，結構照明顯微技術被提出。結構照明顯微鏡（SIM），應用圖案化照明場，空間分辨率得到提高，憑借細胞損傷極小的優勢，非常適合長時間觀察活細胞。但由于受到光衍射限制，結構照明顯微鏡X-Y軸分辨率最高只能達到100nm。
2002年，飽和結構照明顯微技術被提出，2005年，飽和結構照明顯微鏡被開發問世。飽和結構照明顯微鏡，利用高強度激發光照射熒光，熒光分子趨于飽和，在這種情況下，熒光分子每次回到基態就會立即被激發到激發態，這種激發模式空間頻率更高，與樣本中的高頻空間混合，可以將亞衍射極限空間特征引入到顯微鏡的檢測范圍，從而獲得超高分辨率圖像。
根據新思界產業研究中心發布的
《2024-2029年中國飽和結構照明顯微鏡（SSIM）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，飽和結構照明顯微鏡與結構照明顯微鏡對比來看：結構照明顯微鏡X-Y軸分辨率為100nm，時間分辨率在毫秒至秒之間，熒光團兼容性強，激發光強度中等；飽和結構照明顯微鏡X-Y軸分辨率在50nm以內，成像質量更高，時間分辨率在秒至分之間，成像速度較慢，為滿足飽和程度要求，適用的熒光團較少，激發光強度要求高，因此具有光毒性，不再有細胞損傷極小的優勢，在活細胞成像領域應用受到限制。
為進一步提高性能、拓寬應用范圍，飽和結構照明顯微鏡技術不斷改進。2009年，科研人員將隨機光學重建顯微技術（STORM）、光激活定位顯微技術（PALM）與飽和結構照明顯微技術相結合，使得飽和結構照明顯微鏡的三維分辨率進一步提升到20nm以內。
新思界
行業分析人士表示，預計2023年，全球超分辨率顯微鏡市場規模約為62.9億元。現階段常見的超分辨率顯微鏡主要是受激發射損耗顯微鏡（STED）、隨機光學重建顯微鏡（STORM）、光激活定位顯微鏡（PALM）、結構照明顯微鏡（SIM）、飽和結構照明顯微鏡（SSIM）等，這些技術各有優缺點，應用領域存在差異，雖然受激發射損耗顯微鏡目前應用比例較高，但并沒有一種技術具有明顯競爭優勢，因此飽和結構照明顯微鏡未來仍有發展空間。
