半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶動(dòng)下 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化率有望不斷提升

　　刻蝕是用化學(xué)或物理方法對(duì)襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的過程，進(jìn)而形成光刻定義的電路圖形�？涛g設(shè)備是刻蝕工藝的關(guān)鍵設(shè)備，是晶圓制造三大核心裝備之一。根據(jù)工藝不同，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，干法刻蝕是目前市場(chǎng)主流刻蝕技術(shù)。其中干法刻蝕又可分為介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕三大類。干法刻蝕設(shè)備主要包括電容性等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備和電感性等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備。

 

　　近年來，隨著集成電路行業(yè)不斷發(fā)展，刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，根據(jù)新思界發(fā)布的《2022-2026年中國刻蝕設(shè)備產(chǎn)品市場(chǎng)分析可行性研究報(bào)告》顯示，2021年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為175億美元，同比增長(zhǎng)27.7%。從細(xì)分市場(chǎng)來看，主要用于硅刻蝕和金屬刻蝕的電感性等離子體刻蝕設(shè)備占比刻蝕設(shè)備總體市場(chǎng)份額為62%；主要用于介質(zhì)刻蝕的電容性等離子體刻蝕設(shè)備占比份額為38%。

 

　　目前全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)由美國、日本企業(yè)占比主導(dǎo)地位，主要企業(yè)包括拉姆研究Lam Research、東京電子TEL、應(yīng)用材料Applied Materials、日立高新Hitach等，其中2021年Lam Research、東京電子TEL、Applied Materials三家企業(yè)占比市場(chǎng)份額最大，共計(jì)占比近90%市場(chǎng)份額，行業(yè)集中度較高。

 

　　刻蝕設(shè)備屬于技術(shù)、資金密集型行業(yè)，行業(yè)準(zhǔn)入門檻較高，且國內(nèi)刻蝕設(shè)備行業(yè)起步時(shí)間較晚，目前本土企業(yè)在全球市場(chǎng)中占比份額較小。具體來看，2021年本土企業(yè)中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體在全球市場(chǎng)中僅占比約4%市場(chǎng)份額。

 

　　刻蝕設(shè)備屬于半導(dǎo)體設(shè)備重要組成部分，近年來，其行業(yè)發(fā)展受國家政策大力支持。2021年3月國家發(fā)布《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》提出，需要集中優(yōu)勢(shì)資源攻關(guān)多領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)，其中集成電路領(lǐng)域包括集成電路設(shè)計(jì)工具開發(fā)、重點(diǎn)裝備和高純靶材開發(fā)。未來國內(nèi)刻蝕設(shè)備行業(yè)將在政策支持下不斷發(fā)展。

 

　　新思界產(chǎn)業(yè)分析人員表示，近年來，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向中國大陸轉(zhuǎn)移趨勢(shì)不斷發(fā)展以及國家政策大力支持半導(dǎo)體設(shè)備提高國產(chǎn)化率背景下，刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備重要組成部分，其市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，行業(yè)發(fā)展前景較好。但目前全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)仍由美、日企業(yè)占據(jù)主要份額，未來國內(nèi)企業(yè)還需不斷加大技術(shù)研發(fā)力度，加快促進(jìn)國產(chǎn)化率不斷提升，行業(yè)發(fā)展前景廣闊。

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