鉬/硅多層膜（Mo/Si多層膜）是一種由鉬（Mo）和硅（Si）交替堆疊形成的納米級薄膜結構。
Mo/Si多層膜主要用于反射極紫外（EUV）光，膜層經厚度優化，可以在特定入射角范圍內獲得高反射率。根據新思界產業研究中心發布的《
2025-2030年中國鉬/硅多層膜（Mo/Si多層膜）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，在13.5nm波長附近，Mo/Si多層膜能夠達到近70%的反射率，在自由電子激光、天文觀測、同步輻射、可控聚變、極紫外光刻等領域具有極大應用價值。
由鉬/硅多層膜堆疊而成的多層膜反射鏡是EUV光刻機的核心光學元件之一，其能夠提供反射、聚焦等功能以引導光束傳輸。EUV光刻機是制造高密集度半導體芯片的核心設備，技術壁壘高，荷蘭阿斯麥（ASML）于2010年代后期實現了極紫外光刻機商業化，目前仍是全球唯一制造供應商。
Mo/Si多層膜沉積工藝分為磁控濺射、電子束蒸鍍、離子束濺射等。磁控濺射是一種物理氣相沉積（PVD）技術，即在真空腔體中，通過高能離子（如氬離子）轟擊靶材，使靶材原子濺射出來并沉積在基底上，同時在磁場約束下，提高等離子體密度和濺射效率。
Mo/Si多層膜精度要求高、沉積工藝復雜，目前全球能夠實現Mo/Si多層膜商業化的企業仍較少，其中德國optiXfab公司于2012年實現了德國弗勞恩霍夫光機所Mo/Si多層膜專利技術商業化。此外日本GIGAPHOTON株式會社在Mo/Si多層膜上也有研究。
我國Mo/Si多層膜發展較為落后，市場需求多依賴進口。我國Mo/Si多層膜研制單位包括上海光機所、長春光機所、哈爾濱工業大學、同濟大學精密光學工程技術研究所等，近年來，我國在Mo/Si多層膜領域取得了顯著進展，部分領域Mo/Si多層膜已可自主承擔制造，如同步輻射反射膜。
在企業方面，福晶科技通過子公司CASTECH切入極紫外多層膜反射鏡，其Mo/Si多層膜反射率已滿足實驗室驗證需求，達68%。Mo/Si多層膜是EUV光刻機反射鏡中最常見組合，但其對13.5nm EUV波段光的反射率最高也僅在70%，未來仍需開發更高反射率的反射鏡材料。
新思界
行業分析人士表示，EUV光刻機主要用于制造高端先進半導體器件，隨著半導體工藝節點向7nm及以下推進，EUV光刻機重要性將進一步凸顯。國外EUV光刻機對華出口管制，我國亟需實現EUV光刻機國產化突破，Mo/Si多層膜作為EUV光刻機反射鏡核心結構，國產替代空間廣闊。
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