極紫外（EUV）多層膜是由兩種或多種材料交替堆疊形成，膜層厚度在納米級，利用膜層界面反射的相干相長獲得高反射率。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025-2030年極紫外（EUV）多層膜行業市場深度調研及投資前景預測分析報告》顯示，極紫外多層膜具有高反射率，可用于反射極紫外光（EUV），在極紫外光刻、高次諧波、同步輻射、可控聚變、強場物理、聚變強場診斷、空間極紫外天文學等領域具有廣闊應用空間。
極紫外（EUV）光刻是目前最先進的光刻技術，能夠實現7nm以下的先進制程。典型EUV光刻機通常由EUV光源、照明系統、投影物鏡系統、掩膜臺等組成，其中投影物鏡系統由多個多層膜反射鏡組成。
多層膜反射鏡的基底表面沉積有極紫外多層膜，其可以提供反射、聚焦等功能以引導光束傳輸。鉬（Mo）/硅（Si）多層膜是最常見的極紫外多層膜，由Mo/Si交替組成，其能夠在13.5nm波長附近達到近70%的反射率。
硅層位于Mo/Si多層膜最外層，在空氣中容易形成薄氧化層，影響其反射率。此外光源系統中錫碎屑流、照明和投影系統中殘余氣體也會引起Mo/Si多層膜錫污染、碳污染和氧化污染。為保障其反射率、防止膜層失效，多層膜的表面清洗技術成為業界開發熱點之一。多層膜碳污染清洗技術包括活性氧清洗技術、原子氫清洗技術、等離子體清洗技術等。
目前極紫外多層膜主要制備工藝包括電子束蒸發法、磁控濺射法、離子束濺射法、界面阻隔層法等。其中磁控濺射法是利用氣體放電使靶材中的原子或分子被濺射出來，沉積在基底上形成薄膜，通過控制濺射參數，來精確控制膜層的厚度、成分和結構。
極紫外多層膜制備難度極大，在全球范圍內，極紫外多層膜相關研發單位及企業包括日本Gigaphoto.Inc公司、德國optiXfab公司、德國Fraunhofer研究所、同濟大學精密光學工程技術研究所、上海光機所、長光所、科益虹源、福晶科技等，其中德國optiXfab公司于2012年實現了德國Fraunhofer研究所Mo/Si多層膜專利技術商業化。
新思界
行業分析人士表示，EUV光刻主要用于高端邏輯芯片及先進存儲芯片的制造，隨著半導體工藝節點向7nm制程及以下推進，EUV光刻應用重要性日益凸顯。目前EUV光刻機僅有荷蘭ASML能夠制造供應，但其對華禁售，在出口管制背景下，EUV光刻機國產替代需求迫切，極紫外多層膜作為其核心材料之一，亦存在廣闊替代空間。
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