受化學機械拋光需求帶動 二氧化硅CMP漿料（SiO2-CMP漿料）市場前景廣闊

　　二氧化硅CMP漿料（SiO2-CMP漿料），是化學機械拋光漿料的一種，是使用純度99.999%以上、粒徑在20-20nm之間的二氧化硅作為研磨顆粒，再添加pH值調節劑、分散劑、穩定劑等助劑制造而成的應用在化學機械拋光領域的漿料。

 

　　CMP，化學機械拋光，同時利用化學與機械作用來對晶圓表面進行納米級拋光，目的是穩定晶圓光刻質量。CMP過程中需要采用的設備與耗材主要有CMP設備、CMP拋光墊、CMP漿料、清洗設備、控制設備、檢測設備、廢物處理設備等。其中，CMP漿料作為耗材不可或缺，其性能與質量直接影響晶圓拋光的平坦度、表面質量。

 

　　二氧化硅CMP漿料制備，可通過氣相法、液相法等工藝，獲得不同粒徑的二氧化硅粉體，其中，氣相法可以獲得高純度二氧化硅粉體，再采用分散法通過機械分散方式將二氧化硅粉末均勻分散在溶液中，從而制得二氧化硅CMP漿料。也可以采用凝聚法通過化學反應來制備二氧化硅CMP漿料。

 

　　根據新思界產業研究中心發布的《2025年中國二氧化硅CMP漿料（SiO2-CMP漿料）市場專項調研及企業“十五五規劃”建議報告》顯示，憑借硬度適中且與硅片接近、在溶液中分散性好、比表面積較大等特點，二氧化硅CMP漿料成為主流CMP漿料產品之一，其對材料表面損傷小，能夠顯著提高表面質量，被廣泛應用在硅晶片、集成電路層間介質層等化學機械拋光方面。

 

　　但二氧化硅CMP漿料存在拋光速率較低的缺點，通過與其他CMP漿料復合，可以進一步提升拋光速率與拋光質量。例如，將納米氧化鈰顆粒包覆在納米二氧化硅顆粒表面制成的CeO2@SiO2復合顆粒，結合了兩種材料的優點，可以提高拋光速率，并顯著改善拋光質量。

 

　　2024年，全球晶圓代工市場規模同比增速超過20%，預計2025-2027年仍將繼續保持快速上升態勢，在此背景下，二氧化硅CMP漿料市場發展前景廣闊。同時，超大規模集成電路技術的持續發展，使得市場對晶圓表面質量要求持續提高，在此情況下，二氧化硅CMP漿料技術正在不斷升級，產品附加值不斷提高。總的來看，二氧化硅CMP漿料市場發展空間大。

 

　　新思界行業分析人士表示，在全球市場中，二氧化硅CMP漿料生產企業有美國卡博特微電子（Cabot Microelectronics）、德國默克（Merck KGaA）、日本富士膠片（Fujifilm Corporation）、日本旭硝子（AGC）、日本Resonac等國外企業，以及二氧化硅CMP漿料生產企業主要有北京國瑞升科技集團股份有限公司、上海新安納電子科技有限公司、安集微電子科技（上海）股份有限公司等國內企業。

 

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