氧化鎵單晶襯底，又稱Ga₂O₃單晶襯底，指以新型寬禁帶半導體材料氧化鎵（Ga₂O₃）制成的襯底。氧化鎵單晶襯底具備擊穿電場強度高、禁帶寬度高、熱穩定性好、紫外光透過率高、可加工性好等優勢，在功率電子器件、射頻器件以及光電器件等領域擁有廣闊應用前景。
氧化鎵單晶襯底制備方法包括導模法、垂直布里奇曼法（VB）、直拉法（CZ）、浮區法（FZ）以及邊緣定義薄膜進給法（EFG）等。垂直布里奇曼法具備生產成本低、工業穩定性好、成品質量好等優勢，目前已在氧化鎵單晶襯底制備過程中獲得廣泛應用；直拉法為氧化鎵單晶襯底傳統制備方法，適用于大尺寸產品。未來隨著技術進步，氧化鎵單晶襯底行業發展速度有望加快。
根據新思界產業研究中心發布的《
2025年中國氧化鎵單晶襯底市場專項調研及企業“十五五規劃”建議報告》顯示，氧化鎵單晶襯底在眾多領域擁有廣闊應用前景，主要包括功率電子器件、射頻器件以及光電器件等。在功率電子器件領域，氧化鎵單晶襯底可用于新能源汽車充電器、高壓直流輸電系統以及光伏逆變器中。未來隨著下游行業景氣度提升，我國氧化鎵單晶襯底市場空間有望擴展。
在行業發展初期，全球氧化鎵單晶襯底核心技術被日本壟斷，代表企業為日本NCT公司、日本FOX公司等。日本NCT為全球最早具備氧化鎵單晶襯底自主研發及生產實力的企業，目前已實現6英寸型氧化鎵單晶襯底規模化生產。在本土方面，與日本相比，我國氧化鎵單晶襯底行業起步較晚，但發展勢頭迅猛，已有多家企業布局其行業研發賽道，主要包括富加鎵業、鎵仁半導體、銘鎵半導體等。
富加鎵業專注于氧化鎵單晶材料、氧化鎵襯底及外延片的研發、生產和銷售，其基于自主研發的MOCVD同質外延技術制得的氧化鎵單晶襯底性能優異，質量已達到全球領先水平。鎵仁半導體已掌握100毫米（010）面氧化鎵單晶襯底核心制備技術，產品具備熱導率高、外延匹配度高等優勢。
新思界
行業分析人士表示，近年來，隨著技術進步，我國氧化鎵單晶襯底行業發展速度有望加快。在應用領域方面，采用氧化鎵單晶襯底制成的功率電子器件具備導通損耗低、可承受更高電壓及電流等優勢，應用前景廣闊。目前，我國企業已具備氧化鎵單晶襯底自主研發實力，未來其國產產品市場占比有望提升。
關鍵字：
