碳化硅外延片，又稱SiC外延片，指在碳化硅襯底上通過CVD或MBE技術制成的一層薄層材料，其保持了襯底層的晶體結構。碳化硅外延片具有電子飽和速度快、帶隙寬、熱導率高、耐輻射等優勢，在傳感器、光電器件、電力系統、航空航天、汽車制造以及通信系統等領域應用潛力巨大。
化學氣相沉積法（CVD）以及分子束外延法（MBE）為碳化硅外延片制備方法。CVD法具有能夠控制摻雜類型、成品質量好、操作靈活性高、運行成本低等優勢，為碳化硅外延片主流制備方法。
近年來，為規范市場發展，我國有關部門已制定多項碳化硅外延片相關行業標準。2024年4月，國家標準化管理委員會發布國家標準《GB/T 43885-2024 碳化硅外延片》，該項標準將于2024年11月正式實施，文件針對碳化硅外延片的分類、試驗方法、技術要求進行了明確規定。未來伴隨行業標準不斷完善，我國高質量碳化硅外延片市場占比將不斷提升。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024-2028年碳化硅外延片（SiC外延片）行業深度市場調研及投資策略建議報告》顯示，碳化硅外延片在傳感器、光電器件、電力系統、航空航天、汽車制造以及通信系統等領域應用潛力巨大。在電力系統領域，碳化硅外延片能有效提升電力轉換效率，可應用于智能電網中；在航空航天領域，其具有耐高溫優勢，可用于飛機控制系統以及通訊導航系統中；在汽車制造領域，其可用于制造汽車電子器件。隨著應用需求日益旺盛，碳化硅外延片行業景氣度不斷提升。2023年全球碳化硅外延片市場規模達到近15億美元。
在全球市場中，日本昭和電工株式會社（Showa Denko）為全球最大碳化硅外延片生產商，具備8英寸產品大規模生產實力。在本土市場中，我國碳化硅外延片市場主要參與者包括晶睿電子、天岳先進、瀚天天成、同光股份、天科合達等。瀚天天成正在積極推進“6-8英寸碳化硅外延晶片產業化項目”建設，據其企業招股書顯示，2023年1-6月，公司碳化硅外延片產能達到12萬片。
新思界
行業分析人士表示，受益于第三代半導體材料行業發展速度加快，碳化硅外延片應用需求不斷增長。未來伴隨行業標準不斷完善以及技術進步，我國碳化硅外延片產量及質量將得到進一步提高。在市場競爭方面，我國碳化硅外延片生產企業眾多，瀚天天成占據市場較大份額。
