原子層沉積（ALD）設備是一種薄膜沉積設備，具有大面積成膜均勻性好、膜厚控制精確等特點。
原子層沉積（ALD）技術是一種由化學氣相沉積（CVD）演變而來的薄膜沉積工藝，原理是以氣體脈沖的形式，將兩種前驅體交替引入反應器，依靠真空泵抽取或惰性氣體吹掃，兩種前驅體之間實現隔離，前驅體分子通過吸附在樣品表面發生反應生成薄膜或團簇。
ALD設備通常由反應腔體、前驅體供應系統（包括前驅體源瓶、噴嘴、閥門和管道）、真空系統、溫度控制系統、氣體凈化系統、傳輸系統等組成，其中反應腔體是前驅體化學反應的場所，通常由耐腐蝕材料制成，如不銹鋼。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025-2029年原子層沉積（ALD）設備行業市場供需現狀及行業經營指標深度調查分析報告》顯示，ALD設備可用于多種材料的沉積，如氧化鋁、氮化鋁、氧化鋅、二氧化鉿、二氧化硅等，在能源、化工、集成電路、平板顯示、光學器件、柔性電子、MEMS、光伏、半導體、催化劑等領域具有良好的產業化前景。
近年來，原子級制造受到全球多個國家高度關注，ALD設備作為原子級制造技術代表，市場迎來了快速發展時期。根據國際半導體產業協會（SEMI）數據顯示，2024年全球ALD設備市場規模達68億美元美元以上，中國市場需求增速（37%）遠超全球平均增長率（15%）。
ALD設備具有較高的研發、技術壁壘，國際供應商包括應用材料（AMAT）、東京電子（TEL）、日本國際電氣（KE）、荷蘭先晶半導體（ASM）等。ALD設備戰略價值高，在2024年美國商務部發布的《關鍵出口管制清單》中，ALD設備位列首批受限項目。
目前我國ALD設備供應商包括無錫微導納米、無錫松煜、北方華創、拓荊科技、江蘇鵬舉半導體等，其中無錫微導納米是國內首家將量產型High-kALD設備應用于集成電路制造前道生產線的國產企業。近年來，隨著我國企業技術突圍，全球ALD設備市場格局有所變化。
新思界
行業分析人士表示，原子級制造是目前各國競相布局的路徑之一，我國工業和信息化部已將其確立為六大核心未來發展方向之一。ALD設備可以實現原子級精確控制的薄膜沉積，是原子級制造技術代表之一，隨著原子級制造關注度提升，ALD設備市場空間將進一步擴大，我國作為制造大國，國產ALD設備有望率先受益。
