砷化鎵外延片（GaAs外延片）應(yīng)用領(lǐng)域廣泛 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不斷完善

        砷化鎵外延片，又稱(chēng)GaAs外延片，指利用外延生長(zhǎng)技術(shù)在砷化鎵襯底上形成的單晶薄膜。砷化鎵外延片通常具備電子遷移率高、高頻特性好等電學(xué)性能，在通信系統(tǒng)、半導(dǎo)體制造、‌‌光電器件、光伏發(fā)電等領(lǐng)域應(yīng)用較多。

        為規(guī)范市場(chǎng)發(fā)展，我國(guó)有關(guān)部門(mén)已出臺(tái)多項(xiàng)砷化鎵外延片行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，主要包括《微波功率器件及集成電路用砷化鎵外延片規(guī)范》、《砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測(cè)量方法》、《砷化鎵外延片》等。受益于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不斷完善，我國(guó)高質(zhì)量砷化鎵外延片市場(chǎng)占比將有所提升。

        砷化鎵外延片制備方法眾多，主要包括分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、化學(xué)束外延法（CBE）、氣相外延法（VPE）、原子層外延法（ALE）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）等。氣相外延法指將氣態(tài)砷化鎵前驅(qū)體與氫氣混合，經(jīng)加熱、沉積等流程制得成品，該法為砷化鎵外延片主流制備方法，目前已被我國(guó)多家廠商采用。

        根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2024-2029年砷化鎵外延片（GaAs外延片）行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)分析報(bào)告》顯示，砷化鎵外延片在通信系統(tǒng)、半導(dǎo)體制造、‌‌光電器件、光伏發(fā)電等領(lǐng)域應(yīng)用較多。在通信系統(tǒng)領(lǐng)域，砷化鎵外延片可用于砷化鎵功率放大器中，能夠提升信號(hào)傳輸質(zhì)量，5G通信基站為其主要應(yīng)用場(chǎng)景；在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，其可用于集成電路制造以及封測(cè)環(huán)節(jié)；在光電器件領(lǐng)域，其可用于垂直腔面發(fā)射激光器、LED照明器件制備過(guò)程中；在光伏發(fā)電領(lǐng)域，其可用于制造砷化鎵光伏電池。

        我國(guó)砷化鎵外延片主要生產(chǎn)商包括先導(dǎo)科技集團(tuán)有限公司‌、廈門(mén)乾照光電股份有限公司、中科芯電半導(dǎo)體科技（北京）有限公司等。先導(dǎo)集團(tuán)具備2-6英寸砷化鎵外延片自主研發(fā)及生產(chǎn)實(shí)力，產(chǎn)品在光伏以及半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中應(yīng)用較多；乾照光電專(zhuān)注于光伏電池用砷化鎵外延片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售，據(jù)其企業(yè)半年報(bào)顯示，2024年上半年公司外延片及芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.5億元。

        新思界行業(yè)分析人士表示，砷化鎵外延片在眾多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，未來(lái)伴隨下游行業(yè)發(fā)展速度加快，其市場(chǎng)空間將進(jìn)一步擴(kuò)展。隨著行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不斷完善以及技術(shù)進(jìn)步，我國(guó)砷化鎵外延片產(chǎn)量及質(zhì)量不斷提升。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，我國(guó)已有多家企業(yè)具備砷化鎵外延片自主研發(fā)及生產(chǎn)實(shí)力，未來(lái)其行業(yè)發(fā)展前景將持續(xù)向好。

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