硅電容器，簡稱Si-Cap，是指以硅材料為介電層，采用半導體制造工藝制作而成的電容器。與主流電容器MLCC（片式多層陶瓷電容器）相比，硅電容器有著更優異的穩定性、可靠性、耐溫性、耐老化性、低背化、絕緣阻抗性和更高的頻率、容量等，是一類高性能、高附加值的電容器，在通訊基站、毫米波T/R組件、LC濾波器、汽車、植入式醫療系統、手機終端、軍用雷達、航空航天等領域有著廣闊的應用前景。
硅電容器是近幾年研發出來的一類新型電容器，憑借著超小尺寸、高頻響應、低電阻、高可靠性等優勢率先在航空、軍事領域實現應用。直至2021年前后，在下游電子產品小型化發展趨勢逐步攀升、終端領域對電容器要求不斷提升、相關企業不斷突破關鍵技術背景下，硅電容器民用市場才開始起步，在醫療、電子、通訊領域展現出良好發展前景，未來市場空間還有待持續擴展。
硅電容器技術、研發壁壘較高，全球范圍內，布局該領域的企業主要有日本村田制作所、法國IPDIA、美國Microchip、美國AVX、美國Vishay等國際企業以及臺灣積體電路制造（臺積電）、大連宏衍微電子、深圳運通極芯科技等中國企業。
其中村田制作所與臺積電是全球市場中唯二兩家實現硅電容器規模化量產的企業，且村田制作所在硅電容器領域起步時間早于臺積電，并于2016年收購了法國IPDiA頭部硅電容器公司，因此，村田制作所硅電容器技術領先全球。2023年6月，村田制作所宣布投資約100億日元將硅電容器產能提升兩倍，未來隨著產能不斷提升，其有望加快搶占全球市場份額，占據市場主導地位。
從中國大陸市場來看，我國具備硅電容器生產能力的企業數量較少，宏衍微電子與運通極芯科技兩家企業為國內領先企業。在技術方面，宏衍微電子的3D硅電容器綜合技術性能已達到村田的70%左右，部分單點特性可優于村田；運通極芯科技成功研制出3D高密度硅電容器，擁有相關技術的全部知識產權，技術工藝已達國際領先水平。新思界
行業分析人士表示，目前國內硅電容器企業在技術方面已實現較大突破，但距離實現規模化量產還有較長的路要走，未來行業成長空間巨大。
