半導(dǎo)體存儲器，全稱為半導(dǎo)體集成存儲器，是指用半導(dǎo)體集成電路工藝制成存儲數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件，主要由大量存儲單元和輸入、輸出電路構(gòu)成。根據(jù)讀寫功能不同，半導(dǎo)體存儲器可分為SRAM、DRAM等隨機(jī)存儲器（RAM）；FLASH、PROM、EPROM等只讀存儲器（ROM）；3D-XPoint、RPAM、FRAM等新型RAM儲器。半導(dǎo)體存儲器具有體積小、存儲速度快、存儲密度高等特點(diǎn)，是計(jì)算機(jī)的重要組成部分。
半導(dǎo)體存儲器是電子類產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，近年來，在國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展背景下，電子產(chǎn)品市場需求不斷增加，我國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模隨之不斷擴(kuò)大。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2022-2026年中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)市場行情監(jiān)測及未來發(fā)展前景研究報(bào)告》顯示，2020年國內(nèi)半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模約為702.6億元，同比增長15.2%。未來隨著國內(nèi)5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等科技產(chǎn)業(yè)不斷，預(yù)計(jì)2023年半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模將接近1150.0億元。
DRAM為目前國內(nèi)半導(dǎo)體存儲器最大細(xì)分領(lǐng)域，其市場規(guī)模占比國內(nèi)半導(dǎo)體存儲器總規(guī)模約為56.9%；其次為NAND FLASH和NOR FLASH，占比分別為40.5%、2.6%。DRAM，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器，主要應(yīng)用于手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、圖形技術(shù)、服務(wù)器等場景，未來隨著國內(nèi)云計(jì)算、云存儲技術(shù)不斷普及，DRAM市場需求將不斷增加，行業(yè)發(fā)展?jié)摿薮蟆?/div>
從細(xì)分市場競爭格局來看，目前三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六家國外企業(yè)占據(jù)國內(nèi)NAND FLASH主要市場份額，本土企業(yè)長江存儲正在不斷加大技術(shù)研發(fā)、積極布局國內(nèi)該領(lǐng)域，未來國內(nèi)市場國產(chǎn)化水平還有較大提升空間；三星、SK海力士、美光企業(yè)占據(jù)超過95%DRAM市場份額，國內(nèi)DRAM企業(yè)主要為合肥長鑫，目前尚處于初步發(fā)展階段。
經(jīng)過近些年發(fā)展，我國已成為全球半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)銷大國之一，但半導(dǎo)體存儲器屬于技術(shù)、資金密集型行業(yè)，行業(yè)準(zhǔn)入門檻較高，本土企業(yè)數(shù)量較少，目前國內(nèi)市場仍由國外品牌占據(jù)主導(dǎo)地位。未來國內(nèi)企業(yè)還需不斷加大技術(shù)研發(fā)投入以及引進(jìn)先進(jìn)技術(shù)，進(jìn)而不斷突破關(guān)鍵技術(shù)，推動(dòng)本土企業(yè)在市場競爭中占據(jù)更多市場份額，促進(jìn)國產(chǎn)替代進(jìn)程不斷加快。
新思界
產(chǎn)業(yè)分析人員表示，集成電路是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心，而半導(dǎo)體存儲器作為集成電路行業(yè)重要組成部分，未來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展以及人工智能、云計(jì)算、云存儲等技術(shù)不斷普及，其市場需求將不斷增加，龐大市場需求將為國內(nèi)企業(yè)國產(chǎn)化替代提供巨大發(fā)展空間，行業(yè)發(fā)展?jié)摿薮蟆?/div>
