氮化鎵（GaN），是第三代半導(dǎo)體材料中研究最為深入的兩種產(chǎn)品之一，與另一種產(chǎn)品碳化硅（SiC）相比，氮化鎵的電子遷移率更高，可以應(yīng)用在高頻、高速光電器件中。芯片是功率器件的核心元件，氮化鎵功率芯片具有耐熱性好、開關(guān)轉(zhuǎn)換速度快、功率密度大等優(yōu)點(diǎn)，消費(fèi)電子氮化鎵快充是其代表性應(yīng)用領(lǐng)域之一。
智能手機(jī)更新迭代速度加快，功能集成度不斷提高，續(xù)航面臨挑戰(zhàn)。為保證手感，手機(jī)的厚度與重量受到限制，電池容量在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上難以大幅提升。當(dāng)手機(jī)電池技術(shù)沒有重大突破之前，快充成為解決續(xù)航問題的重要手段。氮化鎵快充在保證小體積與輕重量的前提下，其充電速度得到大幅提高，使得手機(jī)充電時(shí)間大幅縮短，因此智能手機(jī)成為氮化鎵功率芯片的重要下游市場。
除智能手機(jī)外，筆記本電腦、平板電腦等采用氮化鎵快充的比例也在不斷提高，預(yù)計(jì)到2025年，全球氮化鎵快充市場規(guī)模將達(dá)到600億元以上，利好氮化鎵功率芯片行業(yè)發(fā)展。氮化鎵功率芯片的應(yīng)用領(lǐng)域還在不斷拓寬，在新能源汽車領(lǐng)域，可用于車載充電器、DC/AC逆變器等方面，還可以應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2021-2025年氮化鎵功率芯片行業(yè)深度市場調(diào)研及投資策略建議報(bào)告》顯示，預(yù)計(jì)2020-2025年，全球氮化鎵功率芯片市場將以68%左右的增速迅猛增長，到2025年市場規(guī)模將達(dá)到42億元左右。
在全球范圍內(nèi)，氮化鎵功率芯片領(lǐng)先生產(chǎn)商主要是美國Power Integrations、美國納微半導(dǎo)體（Navitas）、中國英諾賽科（Innoscience）等，這三家企業(yè)氮化鎵功率芯片出貨量位居全球前三，合計(jì)出貨量占比達(dá)到70%以上。中國是全球最大的智能手機(jī)生產(chǎn)國，國內(nèi)市場對氮化鎵功率芯片需求旺盛，例如OPPO有型號手機(jī)采用Power Integrations產(chǎn)品，小米有型號手機(jī)采用納微半導(dǎo)體產(chǎn)品。在新冠疫情、中美貿(mào)易摩擦背景下，在中國設(shè)有工廠的納微半導(dǎo)體以及本土的英諾賽科未來發(fā)展空間更大。
新思界
行業(yè)分析人士表示，在目前功率芯片市場中，硅基功率芯片仍處于主導(dǎo)地位，市場份額占比達(dá)到9成左右，以第三代半導(dǎo)體材料制造而成的功率芯片份額占比小，氮化鎵功率芯片市場份額占比極低。但與傳統(tǒng)的硅基功率芯片相比，氮化鎵功率芯片性能優(yōu)勢明顯，與同為第三代的碳化硅功率芯片相比，氮化鎵功率芯片價(jià)格優(yōu)勢明顯，因此未來氮化鎵功率芯片市場份額占比有望持續(xù)提高。
