碳化硅（SiC）蝕刻環是以先進陶瓷材料碳化硅（SiC）制備的一種半導體蝕刻耗材。SiC蝕刻環主要用于半導體刻蝕工藝中，其性能和穩定性對半導體制造效率、質量具有重要影響。
SiC蝕刻環是半導體等離子刻蝕工藝的重要耗材之一。半導體蝕刻工藝分為干法刻蝕（又稱等離子刻蝕）、濕法刻蝕兩大類，其中等離子刻蝕為主流工藝，占比達95%以上。根據等離子體產生技術不同，等離子體刻蝕又分為電容耦合等離子體刻蝕（CCP）、電感耦合等離子體（ICP）刻蝕。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024-2029年碳化硅（SiC）蝕刻環行業市場深度調研及投資前景預測分析報告》顯示，蝕刻環材料包括碳化硅（SiC）、硅（Si）、石英等。碳化硅（SiC）在耐高溫性、導熱性、耐離子刻蝕性、機械性等方面優于傳統硅及石英材料，近年來，隨著集成電路微型化發展，刻蝕機所需等離子體能量提高，SiC憑借高化學穩定性、高耐離子刻蝕性、長使用壽命等優勢，在蝕刻環制造中使用越來越廣泛。
SiC蝕刻環對材料的純度要求極高，目前業內通常采用化學氣相沉積（CVD）工藝進行SiC厚層塊體生長，再經過精密加工制得。在國際市場上，SiC蝕刻環相關供應商有日本精密陶瓷株式會社、COMA Technology、韓國KNJ、韓國東海、CoorsTek等。SiC蝕刻環技術壁壘高，受技術限制，我國SiC蝕刻環企業較少，尤其是具備量產能力的企業。
2020年以來，由于國際矛盾沖突，日本、荷蘭等國家半導體設備的出口管理趨嚴，我國半導體設備供應鏈自主可控重要性日益突出。在此背景下，我國企業加大了對SiC蝕刻環、靜電卡盤、氣體噴嘴等半導體設備零部件的研發力度，并取得了良好成果。
湖南德智新材料有限公司（德智新材）是國內SiC蝕刻環頭部供應商，基于自研的CVD設備，在國內率先實現了SiC蝕刻環量產交付。德智新材成立于2017年，截止至目前，其已完成四次關鍵融資，擁有湖南株洲、江蘇無錫兩大研發制造基地。
新思界
行業分析人士表示，SiC蝕刻環在使用壽命、耐離子刻蝕性、耐高溫性等方面優于傳統石英蝕刻環及硅蝕刻環，隨著刻蝕等離子體能量提高，SiC蝕刻環應用價值將進一步凸顯。SiC蝕刻環技術壁壘高，國外企業占據市場主導，目前我國企業已突破SiC蝕刻環技術難關，實現量產交付，在國產替代背景下，國產SiC蝕刻環將占據更多市場。
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