氮化鎵（GaN）基藍光激光器是指基于第三代半導體氮化鎵基材料體系的藍光激光器。藍光激光器是指波長位于400nm-500nm區間且光源呈藍色的激光器。
氮化鎵基藍光激光器典型外延結構由p型電極、歐姆接觸區、上限制層、電子阻擋層、上波導層、多量子阱層、下波導層、下限制層、襯底及緩沖層、n型電極組成。外延生長是氮化鎵基藍光激光器制備基礎，外延生長方法包括分子束外延（MBE）、金屬有機物化學氣相外延（MOCVD）兩種。
氮化鎵基材料為第三代半導體材料，涵蓋氮化銦（InN）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）及其合金，光譜覆蓋近紅外、可見光、深紫外。氮化鎵是最具代表性的第三代半導體材料，其禁帶寬度達3.4eV。氮化鎵晶體生長方法分為HVPE法、氨熱法、助熔劑法等，全球氮化鎵單晶襯底生產企業有日本三菱化學、日本信越化學、美國Kyma公司、日本住友、納維科技等。
氮化鎵基藍光激光器是一種新型氮化鎵基激光器，具有驅動能耗低、體積小、性能穩定、單色性好等特點，在通信、激光顯示、高密度數據存儲、生物醫療、材料加工、照明、量子技術等領域具有廣闊應用空間。
根據新思界產業研究中心發布的《
2025-2029年中國氮化鎵（GaN）基藍光激光器行業市場供需現狀及發展趨勢預測報告》顯示，20世紀末以來，隨著技術發展，氮化鎵基激光器逐漸由紅光、紫光發展到藍光和綠光波段。在國際市場上，氮化鎵基藍光激光器研發單位包括日本日亞公司、德國歐司朗公司、日本島津、德國Laserline GmbH公司等。
我國氮化鎵基藍光激光器相關研制單位包括清華大學、中國科學院半導體研究所、中國科學院蘇州納米所、長春新產業光電技術、先導科技集團、三安光電、廈門大學等。
近年來，我國在氮化鎵基藍光激光器領域取得了多項突破，如清華大學與安徽格恩半導體合作成功研制出輸出功率超15W的氮化鎵基藍光激光器，三安光電與廈門大學合作聯合研發的超8瓦大功率InGaN（氮化銦鎵）藍光激光器達到了國際先進水平，先導科技集團的“氮化鎵藍光裝備的全鏈條國產化開發及應用”項目于2024年成功立項。
新思界
行業分析人士表示，氮化鎵藍光激光器具有廣泛應用前景，隨著相關技術突破，全球氮化鎵基藍光激光器市場規模將持續擴大，預計2024年將達到1.4億美元，2024-2029年市場將以8.0%以上的年均復合增長率增長。我國氮化鎵基藍光激光器關鍵技術已經取得產業化突破，在預期內，我國市場增速將高于全球平均水平。
