碲鋅鎘晶體屬于寬禁帶II-VI族化合物半導體，是第三代前沿戰略性的半導體材料，是當前國內外制造室溫中紅外探測、X射線探測、γ射線探測、核輻射及高能射線探測器等最為先進、優異的材料。
目前，國際上從事碲鋅鎘單晶生長與襯底制備研究的單位主要有土耳其Aselsan、英國Kromek、法國Sofradir公司、法國CEA-LETI聯合實驗室等。國內從事碲鋅鎘單晶生長與襯底制備研究的單位除中國科學院上海技術物理研究所以外，主要還有常州光電技術研究所和昆明物理研究所，采用的單晶生長方法主要是垂直布里奇曼法，生長的晶體直徑主要有50 mm、60 mm、90mm等幾種規格，常規使用的襯底主要有20×20mm2、20×25mm2、20×30mm2、30×40mm2、40×40mm2等規格，典型EPD在5～15×104cm2之間。
2022年1月，經中國科學院半導體研究所檢測，安徽承禹半導體材料科技有限公司碲鋅鎘單晶棒及晶片在紅外透過率等綜合參數性能、產品良率、晶棒及晶片尺寸規格，尤其是3英寸的全單晶圓片等幾項關鍵指標方面，均處于國內領先水平。目前中國不僅打破了國外對碲鋅鎘晶體材料的技術與產品雙封鎖，還發展成為國際上少數幾個能生產制造碲鋅鎘晶體材料的國家，且已實現碲鋅鎘晶體材料純企業化、大規模化量產。
根據新思界產業研究中心發布的
《2023-2028年中國碲鋅鎘晶體行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，隨著中國軍事、醫療、安防、安檢、工業探測等領域的發展，中國碲鋅鎘晶體材料需求量持續增長，尤其是醫療、安防等民用領域需求的增長，成為中國碲鋅鎘晶體材料需求增長的主要驅動力。2022年，中國碲鋅鎘晶體材料需求量約為15千片。
新思界
產業研究員表示，碲鋅鎘晶體材料屬于高端材料領域，其研發涉及物理、化學、材料等多個學科領域，技術難度相對較大。即便產品及技術研發成功，如果要實現碲鋅鎘晶體材料產業化生產，還需要對生產工藝持續進行優化，以提升良品率，降低生產成本。另外，在生產線建設過程中，相關企業需要對包括設備在內的生產線進行反復調試，以達到生產要求。在業務開展的過程中，碲鋅鎘晶體材料企業需要根據客戶要求進行定制化開發及生產，這需要雄厚的技術及人才儲備。在上述環節中，均涉及到大量技術及工藝細節，如果企業在某個環節中因技術問題影響業務開展，將使企業面臨較大的技術風險。
